弱，从而导致不利的短沟道效应，包括漏电流、沟道中载流子迁移率饱和、 沟道热载流子退化和 介质层时变击穿。因此，需要减小晶体管主体厚度以确保有效的栅极静电控制。理

　　表征沉积态二维材料的内在物理和电学特性的适当技术是沉积态二维材料的质量与基于二维材料的电子设备性能之间的关键联系轶鹰起重机械。此联系可以帮助我们更好地了解、控制和改进基于二维材料的设备的性能。然而，在没有任何转移和图案化过程的情况下，在纳米尺度上分析沉积态二维材料的固有电学特性的技术是有限的。

　　在本应用说明中，扫描探针显微镜(SPM)用于研究沉积态二维TMD的固有电学特性。 导电原子力显微镜(C-AFM)无需任何图案化，直接在生长态二维材料表面进行扫描。C-AFM能够将生长态二维材料的电导率与其形貌相关联，从而将二维材料的电特性与其物理特性（如层厚度等）联系起来。所有这些，C-AFM为我们提供了沉积态2D材料的全面信息，并帮助我们评估这些固有特性对基于二维材料的纳电子学的影响。

　　Torr）下，用C-AFM在Park NX-Hivac AFM上使用Pt/Ir涂层的硅探针（弹簧常数k~3N/m，共振频率f0~75kHz，PPP-EFM）评估蓝宝石上生长态MoS2和WS2层的固有电学特性。高真空环境有助于减少样品上始终存在的水层。[4,6]将C-AFM测量的偏压施加到样品卡盘上，并通过线性电流放大器测量产生的电流。收集所有C-AFM电流图所施加的偏压均为1 V。在样品的顶部和侧面涂上银漆，以确保电接触。

　　在C-AFM电流图（图1b）中，同轴切割蓝宝石上沉积的MoS2层在整个表面上显示出非均匀导电性，尽管图1a中的形貌显示了完全聚结的单层MoS2，其顶部约有~37%的表面晶体（命名为1.3 ML）。通过引入离轴1º切割蓝宝石作为衬底，MoS2层的电导率变得更加均匀， 与它们更均匀的表面结构一致（图1c和d）。 总体而言，离轴1º切割蓝宝石上约~83%的单层MoS2具有更高的电导率，而使用同轴上切割蓝宝石仅占51%。[7]电导率较低的区域在图1b、d中用粉红色标记，阈值电流约为~0.3 μA。 因此，通过引入离轴1º切割蓝宝石（图1b、d中的49%到17%） 可降低较弱导电区域的密度。

　　（a刮屑板，c）分别在同轴和离轴1º切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的C-AFM形貌图(b、d）同时与（a，c）一起获得的C-AFM电流图。通过电流阈值（~0.3μA），第一单层MoS2中的非均匀和导电性较弱区域以粉红色突出显示。经许可复制图像。[7]Copyright 2021, American Chemical Society.

　　通过跳过蓝宝石晶片的预外延处理过程，该密度可以进一步降低到约~6.5%（图 2a-b）。具有较低电导率的 MoS2区域的形状不是随机的，而是对应于特定的下层蓝宝石阶地。离轴 1º 切割蓝宝石上具有较低 MoS

　　电导率的区域对应于聚集在一起的阶地。在预外延处理和 MOCVD 过程中，台阶会分解和凝聚。台阶（变形）成型主要由预外延处理和 MOCVD 工艺中使用的高温驱动。正如对离轴 1º 切割蓝宝石所预期的那样，随着 Wterrace变窄，阶梯聚束变得更可能发生。当单层 MoS2沉积在离轴 1º 切割蓝宝石上而不进行任何预外延处理时，高导电区域的密度从 83%（图 1d）进一步增加到 93.5%（图 2b）。可以观察到成束台阶（具有更高的 Hterrace，图 2a 中的 5.8%）和导电性较弱的区域（图 2b 中的暗区为 6.5%）之间存在明显的相关性。从图 2c 中的地形和电流图提取的横截面轮廓进一步支持了这一观察结果。然而，在图 2b 中没有完全去除导电性较弱的区域。这应该与生长温度（在我们的工作中为 1000 °C）有关，该温度足以在沉积过程中在蓝宝石表面引入阶梯聚束。[8-10]

　　电导率分布的不均匀性，我们发现非封闭顶层中MoS2晶体的存在不会影响电导率。 事实上，具有较低电导率的MoS2区域与MoS2层厚度几乎保持不变，因为它们也存在于3.5 ML MoS2中（图2d-e）：形貌和当前图像中黄色虚线区域的比较表明，MoS2晶体具有非封闭顶层中方向错误的基面不会影响该区域的导电性。 此外，值得注意的是，不同电导区域的存在不仅出现在MoS2外延层中，也出现在蓝宝石上生长的MOCVD WS2层中，如图3所示。

　　单层有关，而不是与非闭合的顶层有关。图4a-b显示了两个第二层MoS2晶体，其中一些区域具有较高的导电性，而另一些区域具有较低的导电性，从而进一步支持了这一点。

　　（a-b）在同轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2上第2-3层MoS2岛的导电性。(a）在同轴切割蓝宝石上生长的MoS2的形貌及其相应的（b）电流图。白色的晶体轮廓显示部分区域具有较高的导电性，部分区域具有较低的导电性公装络平台，表明表面晶体对蓝宝石上MoS2的不均匀导电性贡献不大。(c-f）轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的降解。(c-d）MOCVD生长后立即收集的1.3 ML MoS2的1 V下的形貌图及其相应的电流图。(e-f）在氮气柜中储存6个月后，同一样品在1 V下的形貌图和电流图。在（c）中没有氧化区，但在（e）中MoS2被部分氧化，这总是与（f）中的较弱导电区相关。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。Copyright 2021, American Chemical Society.

　　的固有电学特性，并将其与样品形貌联系起来。我们在沉积的二维TMD单层中发现了非均匀导电性，这可能源于：（i）TMD层厚度变化导致的TMD表面粗糙度；(ii）蓝宝石表面形貌引起的TMD应变；(iii）由于每个蓝宝石阶地的TMD形核率的依赖性，TMD晶粒内缺陷率；（iv）蓝宝石表面结构和终端引起的TMD界面缺陷，可能导致不同的局部掺杂效应。进一步的研究正在进行中，将C-AFM与先进的光谱技术（如拉曼、PL和TOFSIM）相结合，以进一步探索外延二维材料的固有特性。

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